欢迎访问《空军工程大学学报》官方网站!

咨询热线:029-84786242 RSS EMAIL-ALERT
一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN389

基金项目:

陕西省自然科学基金资助项目(2005F20);空军工程大学理学院科研基金资助项目(2005ZK19)


A Novel Half Adder Circuit Using Hybrid Single Electron and MOS Transistors
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路, 并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。

    Abstract:

    Based on I - V characteristics of single-electron transistor and the idea of MOS digital circuit design, an inverter using the single-electron and MOS transistors is proposed and some other logic gate circuits are educed. Finally a novel half adder circuit is realized using these logic circuits. The half adder circuit, in comparison with the pure CMOS circuit, has the advantages that the number of transistor is decreased, the structure of the circuit is predigested, and the total static power consumption is reduced. The accuracy of the circuit is validated by SPICE.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

李芹,蔡理,王森,吴刚.一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路[J].空军工程大学学报,2008,(1):78-81

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2015-11-17
  • 出版日期: