欢迎访问《空军工程大学学报》官方网站!

咨询热线:029-84786242 RSS EMAIL-ALERT
单电子晶体管(SET)及其应用
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN301

基金项目:

陕西省自然科学基金资助项目(2002F34)


Single-electro Transistor (SET) and Its Application
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    当电子器件的尺寸接近纳米尺度时,量子效应对器件工作的影响变得格外重要,就需要采用具有新机理的晶体管结构,单电子晶体管(SET)就是其中一个典型的结构。文中对比传统晶体管(MOSFET)的工作原理,分析了单电子晶体管SET的工作机理,简要概述了SET的一些应用。

    Abstract:

    As electronic device dimensions approach nanometer scale, quantum effects become especially and increasingly important for device operation, and the transistor structure with new mechanism needs to be adopted. The single-electron transistor (SET) is a typical example of such a structure. In this paper, the operating principle of SETs is analyzed in contrast to that of the conventional transistors (MOSFET) and some applications of SETs are outlined simultaneously.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

蔡理,马西奎.单电子晶体管(SET)及其应用[J].空军工程大学学报,2002,(6):60-63

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2015-11-17
  • 出版日期: